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Typical Performance Characteristics
2.0
V GS = 10V
2.00
1.5
5V
4V
3V
1.75
1.50
4V
4.5V
5V
6V
1.0
0.5
2V
1.25
1.00
V GS = 3V
0.0
0.75
7V
8V
9V
10V
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V DS . DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D . DRAIN-SOURCE CURRENT(A)
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current
2.5
V DS = 10V
I D = 500 mA
2.0
1.5
1.0
0.5
-50
0
50
100
150
T J . JUNCTION TEMPERATURE( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with Temperature
3.0
V DS = 10V
Figure 4. On-Resistance Variation with Gate-Source
Voltage
1.5
V DS = V GS
T J = -25( C)
25( C)
2.5
o
o
2.0
1.0
I D = 1 mA
I D = 0.25 mA
1.5
0.5
75( C)
125( C) 150( C)
1.0
o
o
o
T J . JUNCTION TEMPERATURE( C)
0.5
2.0
2.5
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
V GS . GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
5.5
6.0
0.0
-50
0
50 100
o
150
Figure 5. Transfer Characteristics
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
BSS138K Rev. 1.3.0
3
Figure 6. Gate Threshold Variation with Temperature
www.fairchildsemi.com
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